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  Nanoscale patterning of self-assembled monolayers with electrons

Gölzhäuser, A., Geyer, W., Stadler, V., Eck, W., Grunze, M., Edinger, K., et al. (2000). Nanoscale patterning of self-assembled monolayers with electrons. Journal of Vacuum Science and Technology B, 18(6), 3414-3418. doi:10.1116/1.1319711.

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Genre: Zeitschriftenartikel

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JVacuumSciTechnolB _18_2000_3414.pdf (beliebiger Volltext), 753KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
JVacuumSciTechnolB _18_2000_3414.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Eingeschränkt (Max Planck Institute for Medical Research, MHMF; )
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
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Externe Referenzen

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externe Referenz:
http://avs.scitation.org/doi/pdf/10.1116/1.1319711 (beliebiger Volltext)
Beschreibung:
-
OA-Status:
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https://doi.org/10.1116/1.1319711 (beliebiger Volltext)
Beschreibung:
-
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Urheber

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 Urheber:
Gölzhäuser, A., Autor
Geyer, W., Autor
Stadler, V., Autor
Eck, W., Autor
Grunze, M.1, Autor           
Edinger, K., Autor
Weimann, Th., Autor
Hinze, P., Autor
Affiliations:
1Cellular Biophysics, Max Planck Institute for Medical Research, Max Planck Society, ou_2364731              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: We show the fabrication of gold nanostructures using self-assembled monolayers of aliphatic and aromatic thiols as positive and negative electron beam resists. We applied a simple and versatile proximity printing technique using focused ion beam structured stencil masks and low energy (300 eV) electrons. We also used conventional e-beam lithography with a beam energy of 2.5 keV and doses from 3500 to 80 000 μC/cm2. Gold patterns were generated by wet etching in KCN/KOH and characterized by atomic force microscopy and scanning electron microscopy. The width of the finest lines is ∼20 nm; their edge definition is limited by the isotropic etching process in the polycrystalline gold.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000-06-012000-08-232000-12-062000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 5
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1116/1.1319711
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Vacuum Science and Technology B
  Andere : JVST B
  Andere : J. Vac. Sci. Techn. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York : Published by AVS through the American Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: 18 (6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 3414 - 3418 Identifikator: ISSN: 0734-2101
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928495416