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  Increased detector efficiency helps to reveal new insights into compositional fluctuations at defects in Cu2ZnSnSe4 thin films

Schwarz, T., Redinger, A., Siebentritt, S., Gault, B., Raabe, D., & Choi, P.-P. (2018). Increased detector efficiency helps to reveal new insights into compositional fluctuations at defects in Cu2ZnSnSe4 thin films. Poster presented at APT&M 2018, NIST, Gaithersburg, MD, USA.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schwarz, Torsten1, Autor           
Redinger, Alex2, Autor           
Siebentritt, Susanne2, Autor           
Gault, Baptiste1, Autor           
Raabe, Dierk3, Autor           
Choi, Pyuck-Pa4, Autor           
Affiliations:
1Atom Probe Tomography, Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863384              
2University of Luxembourg, Laboratory for Photovoltaics, 41, rue du Brill, L-4422, Belvaux, Luxembourg, ou_persistent22              
3Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863381              
4Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 34141, Korea, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2018
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: APT&M 2018, NIST
Veranstaltungsort: Gaithersburg, MD, USA
Start-/Enddatum: 2018-06-10 - 2018-06-15

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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