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  Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device

Schnitzspan, L., Tries, A., & Klaeui, M. (2020). Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device. Journal of Applied Physics, 128(12): 124302. doi:10.1063/5.0016471.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-468C-D Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-468D-C
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schnitzspan, Leo1, Autor
Tries, Alexander1, 2, Autor           
Klaeui, Mathias1, Autor
Affiliations:
1Johannes Gutenberg Univ Mainz, Inst Phys, Mainz, Germany, ou_persistent22              
2Dept. Bonn: Molecular Spectroscopy, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1800285              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2020-09-242020-09-28
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1063/5.0016471
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Kurztitel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York, NY : AIP Publishing
Seiten: - Band / Heft: 128 (12) Artikelnummer: 124302 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0021-8979
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/991042723401880