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  Integration of III-V on silicon gain devices at the backside of silicon-on-insulator wafers for photonic fully integrated circuits

Menezo, S., Thiessen, T., Mak, J., Da Fonseca, J., Ribaud, K., Yon, Z., & Poon, J. (2020). Integration of III-V on silicon gain devices at the backside of silicon-on-insulator wafers for photonic fully integrated circuits. In CLEO: Science and Innovations 2020. doi:10.1364/CLEO_SI.2020.SM4J.7.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0008-1D02-6 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0009-4FCB-B
資料種別: 会議論文

ファイル

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:
14016.pdf (出版社版), 351KB
 
ファイルのパーマリンク:
-
ファイル名:
14016.pdf
説明:
Archivkopoe
OA-Status:
閲覧制限:
非公開
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf
技術的なメタデータ:
著作権日付:
-
著作権情報:
-
CCライセンス:
-

関連URL

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URL:
https://doi.org/10.1364/CLEO_SI.2020.SM4J.7 (出版社版)
説明:
-
OA-Status:

作成者

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 作成者:
Menezo, Sylvie1, 著者
Thiessen, Torrey1, 著者
Mak, Jason2, 著者
Da Fonseca, Jérémy1, 著者
Ribaud, Karen1, 著者
Yon, Zheng1, 著者
Poon, Joyce2, 著者           
所属:
1External Organizations, ou_persistent22              
2Nanophotonics, Integration, and Neural Technology, Max Planck Institute of Microstructure Physics, Max Planck Society, Weinberg 2, 06120 Halle, DE, ou_3287471              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: We present a new platform integrating heterogeneous III-V/silicon gain devices at the backside of silicon-on-insulator wafers. The fabrication relies on commercial silicon photonic processes. The performances of lasers and SOAs fabricated accordingly are reported.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2020-05-10
 出版の状態: オンラインで出版済み
 ページ: 2
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1364/CLEO_SI.2020.SM4J.7
 学位: -

関連イベント

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イベント名: Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)
開催地: Washington, DC United States
開始日・終了日: 2020-05-10 - 2020-05-15

訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: CLEO: Science and Innovations 2020
種別: 会議論文集
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: - 通巻号: SM4J.7 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISBN: 978-1-943580-76-7