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  LaCaMnO3 thin film laser energy/power meter

Zhang, P. X., Wang, C., Zhang, G. Y., Yu, L., Lee, W. K., & Habermeier, H.-U. (2004). LaCaMnO3 thin film laser energy/power meter. Optics & Laser Technology, 36(4), 341-343.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FB23-0 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FB24-F
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Zhang, P. X.1, 2, 著者           
Wang, C.3, 著者           
Zhang, G. Y.2, 著者           
Yu, L.1, 4, 著者           
Lee, W. K., 著者
Habermeier, H.-U.1, 3, 4, 著者           
所属:
1Scientific Facility Thin Film Technology (Gennady Logvenov), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370497              
2Scientific Facility Crystal Growth (Masahiko Isobe), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370496              
3Department Physical Chemistry of Solids (Joachim Maier), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370483              
4Department Solid State Spectroscopy (Bernhard Keimer), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370480              

内容説明

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キーワード: power meter; LaCaMnO3; LIV
 要旨: A prototype laser energy/power meter was designed based on the
anisotropic Seebeck effect of LaCaMnO3 thin film grown on vicinal cut
LaAlO3 substrate. The optical response of this device to the pulsed
laser and the chopped CW laser was measured from infrared to
ultraviolet. The peak voltage of the measured signal shows a good
linear relation to the laser energy and power in the measured range. It
was shown that at 1064 nm wavelength, this prototype device
demonstrates higher sensitivity than that of commercial device. (C)
2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2004
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 192825
ISI: 000220578900014
 学位: -

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Optics & Laser Technology
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 36 (4) 通巻号: - 開始・終了ページ: 341 - 343 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0030-3992