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  Magnetoconductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas near the (111) silicon surface

Estibals, O., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., Arnaud, G., & Portal, J. C. (2004). Magnetoconductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas near the (111) silicon surface. Physica E, 22(1-3), 446-449.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FB9E-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FB9F-5
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Estibals, O., Autor
Kvon, Z. D., Autor
Gusev, G. M., Autor
Arnaud, G., Autor
Portal, J. C.1, Autor           
Affiliations:
1High Magnetic Field Laboratory, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3371774              

Inhalt

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Schlagwörter: spin-polarized 2DEG; (111) MOSFET; in plane magnetoresistance
 Zusammenfassung: The magnetoresistance of a disordered and highly interacting
two-dimensional electron gas (2DEG) in a silicon (I 1 1) MOSFET has
been measured in the presence of a magnetic field parallel to the
surface of the 2DEG. For high electronic densities, a linear negative
magnetoconductance has been observed. The field of complete spin
saturation has been found to depend linearly on the density. From this
result, we have determined the g(*)m(*) product, which has been shown
to decrease as the density is reduced. (C) 2003 Published by Elsevier
B.V.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2004
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 192878
ISI: 000221140800108
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physica E
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 22 (1-3) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 446 - 449 Identifikator: ISSN: 1386-9477