Magnetoconductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas near the 
(111) silicon surface

Estibals, O.; Kvon, Z. D.; Gusev, G. M.; Arnaud, G.; Portal, J. C.

Magnetoconductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas near the (111) silicon surface

Estibals, O., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., Arnaud, G., & Portal, J. C. (2004). Magnetoconductivity of a spin-polarized two-dimensional electron gas near the (111) silicon surface. Physica E, 22(1-3), 446-449.

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資料種別: 学術論文

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Estibals, O., 著者
Kvon, Z. D., 著者
Gusev, G. M., 著者
Arnaud, G., 著者
Portal, J. C.¹, 著者

所属:
1High Magnetic Field Laboratory, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3371774

内容説明

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キーワード: spin-polarized 2DEG; (111) MOSFET; in plane magnetoresistance

要旨: The magnetoresistance of a disordered and highly interacting
two-dimensional electron gas (2DEG) in a silicon (I 1 1) MOSFET has
been measured in the presence of a magnetic field parallel to the
surface of the 2DEG. For high electronic densities, a linear negative
magnetoconductance has been observed. The field of complete spin
saturation has been found to depend linearly on the density. From this
result, we have determined the g(*)m(*) product, which has been shown
to decrease as the density is reduced. (C) 2003 Published by Elsevier
B.V.

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言語: eng - English

日付: 出版: 2004

出版の状態: 出版

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 192878
ISI: 000221140800108

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出版物名: Physica E

種別: 学術雑誌

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ページ: - 巻号: 22 (1-3) 通巻号: - 開始・終了ページ: 446 - 449 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 1386-9477

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