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  Influence of Free Layer Surface Roughness on Magnetic and Electrical Properties of 300 mm CMOS-compatible MTJ Stacks

Durner, C., Lederer, M., Gurieva, T., Hertel, J., Hindenberg, M., Gerlich, L., et al. (2023). Influence of Free Layer Surface Roughness on Magnetic and Electrical Properties of 300 mm CMOS-compatible MTJ Stacks. IEEE Transactions on Magnetics, 59(11): 4400404. doi:10.1109/TMAG.2023.3287134.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000D-8CA8-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000F-7BD1-B
Genre: Zeitschriftenartikel

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Influence_of_Free_Layer_Surface_Roughness_on_Magnetic_and_Electrical_Properties_of_300_mm_CMOS-compatible_MTJ_Stacks.pdf (Verlagsversion), 2MB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
Influence_of_Free_Layer_Surface_Roughness_on_Magnetic_and_Electrical_Properties_of_300_mm_CMOS-compatible_MTJ_Stacks.pdf
Beschreibung:
Archivkopie
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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externe Referenz:
https://doi.org/10.1109/TMAG.2023.3287134 (Verlagsversion)
Beschreibung:
-
OA-Status:
Keine Angabe

Urheber

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 Urheber:
Durner, Christoph1, Autor                 
Lederer, Maximilian2, Autor
Gurieva, Tatiana2, Autor
Hertel, Johannes2, Autor
Hindenberg, Meike2, Autor
Gerlich, Lukas2, Autor
Wagner-Reetz, Maik2, Autor
Parkin, Stuart1, Autor                 
Affiliations:
1Nano-Systems from Ions, Spins and Electrons, Max Planck Institute of Microstructure Physics, Max Planck Society, ou_3287476              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The magnetic tunnel junction (MTJ) is a highly versatile device widely used in today’s spintronic applications such as magnetoresistive random-access memory (MRAM), magnetic sensors and prospectively as a read device in racetrack memory. Tuning the perpendicular (p-)MTJ stack to match the desired properties, such as tunnel magnetoresistance (TMR), magnetic anisotropies or coercive field of the free layer, requires careful optimization of the deposition parameters as well as precise layer thickness control. Here, the deposition of individual layers in a wedged manner across 300 mm wafers is proposed to engineer the thicknesses within the stack more efficiently. Furthermore, this technique provides detailed insights into effects related to surface roughness, magnetic anisotropy and TMR.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2023-06-162023-11
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1109/TMAG.2023.3287134
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: IEEE Transactions on Magnetics
  Kurztitel : IEEE Trans. Magn.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York, NY : Published by the Institute of Electrical and Electronics Engineers for the Magnetics Group
Seiten: - Band / Heft: 59 (11) Artikelnummer: 4400404 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0018-9464
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925405681