Role of defects and impurities in doping of GaN

Neugebauer, Jörg; Van de Walle, Chris G.

Role of defects and impurities in doping of GaN

Neugebauer, J., & Van de Walle, C. G. (1996). Role of defects and impurities in doping of GaN. In M., Scheffler (Ed.), 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors: Berlin, Germany, July 21 - 26, 1996; [proceedings] (pp. 2849-2856). Singapore: World Scientific.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1FDF-B 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-79F7-B

資料種別: 会議論文

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Neugebauer, Jörg¹, 著者
Van de Walle, Chris G., 著者

所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

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言語: eng - English

日付: 出版: 1996

出版の状態: 出版

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 2307

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出版物名: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors : Berlin, Germany, July 21 - 26, 1996; [proceedings]

種別: 会議論文集

著者・編者:
Scheffler, Matthias, 編集者

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出版社, 出版地: Singapore : World Scientific

ページ: - 巻号: - 通巻号: - 開始・終了ページ: 2849 - 2856 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISBN: 9810229461

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