Energetics of AIN thin films and the implications for epitaxial growth on SiC

Di Felice, R.; Northrup, J. E.; Neugebauer, Jörg

doi:10.1103/PhysRevB.54.R17351

Energetics of AIN thin films and the implications for epitaxial growth on SiC

Di Felice, R., Northrup, J. E., & Neugebauer, J. (1996). Energetics of AIN thin films and the implications for epitaxial growth on SiC. Physical Review B, 54(24), R17351-R17354. doi:10.1103/PhysRevB.54.R17351.

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資料種別: 学術論文

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1996

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Di Felice, R., 著者
Northrup, J. E., 著者
Neugebauer, Jörg¹, 著者

所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

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言語: eng - English

日付: 出版: 1996

出版の状態: 出版

ページ: -

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査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 2286
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.R17351

学位: -

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出版物名: Physical Review B

省略形 : Phys. Rev. B

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: Woodbury, NY : American Physical Society

ページ: - 巻号: 54 (24) 通巻号: - 開始・終了ページ: R17351 - R17354 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008

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