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  Probing by in situ scanning tunneling microscopy the influence of an organic additive on Si etching in NaOH

Allongue, P., Bertagna, V., Kieling, V., & Gerischer, H. (1994). Probing by in situ scanning tunneling microscopy the influence of an organic additive on Si etching in NaOH. Journal of Vacuum Science & Technology B, 12(3), 1539-1542. doi:10.1116/1.587281.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Allongue, Philippe, 著者
Bertagna, Valérie, 著者
Kieling, Virginia, 著者
Gerischer, Heinz1, 著者           
所属:
1Physical Chemistry, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634546              

内容説明

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キーワード: silicon; etching; STM; surface structure; surfactants; electrochemistry; dissolution; in-situ processing
 要旨: The etching of Si in alkaline solution is used to fabricate microstructures. A recent study has described the etching reaction at a molecular level. The present paper studies, with in situ scanning tunneling microscopy, the effect of a surfactant (triton) on Si etching and its consequences regarding the resulting surface topography, which is an important question in the preparation of substrates.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 1994-05
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子(DOI, ISBNなど): eDoc: 430373
DOI: 10.1116/1.587281
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Journal of Vacuum Science & Technology B
  出版物の別名 : J. Vac. Sci. Technol. B
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 12 (3) 通巻号: - 開始・終了ページ: 1539 - 1542 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): -