Surface morphology of GaN surfaces during molecular beam epitaxy

Feenstra, R. M.; Chen, H.; Ramachandran, V.; Lee, C. D.; Smith, A. R.; Northrup, J. E.; Zywietz, Tosja K.; Neugebauer, Jörg; Greve, D. W.

doi:10.1142/S0218625X00000804

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Surface morphology of GaN surfaces during molecular beam epitaxy

MPG-Autoren

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Zywietz, Tosja K.
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Neugebauer, Jörg
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Zitation

Feenstra, R. M., Chen, H., Ramachandran, V., Lee, C. D., Smith, A. R., Northrup, J. E., et al. (2000). Surface morphology of GaN surfaces during molecular beam epitaxy. Surface Review and Letters, 7(5-6), 601-606. doi:10.1142/S0218625X00000804.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1B89-7

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