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Vortrag

Sb-doping induced order to disorder transition enhances the thermal stability of NbCoSn1-xSbx half-Heusler semiconductors

MPG-Autoren
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Jung,  Chanwon
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zhang,  Siyuan
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Bueno Villoro,  Ruben
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons76047

Scheu,  Christina
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Jung, C., Jang, K., Zhang, S., Bueno Villoro, R., Choi, P.-P., & Scheu, C. (2023). Sb-doping induced order to disorder transition enhances the thermal stability of NbCoSn1-xSbx half-Heusler semiconductors. Talk presented at The 20th International Microscopy Congress, PS-07.2. Microscopy of Semiconductor Materials and Devices. Busan, Republic of Korea. 2023-09-10 - 2023-09-15.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-433D-3
Zusammenfassung
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